提供各种半导体保护晶闸管过压瞬态抑制器件，专为满足电信和数据网络设备的要求而设计。 浏览下方产品，寻找最贴合您需求的SIDAC保护晶闸管。
选择 SIDACtor®设备时，请使用以下标准：
V星 数字版权管理 的 SIDACtor ·器件的最大工作电压必须大于 SIDACtor·设备正在保护。
实施例1：对于POTS（普通老式电话服务）应用，将最大工作振铃电压（150 VRMS）转换为峰值电压，并添加中心局电池的最大直流偏置：
150伏均方根 v2 + 56.6 VPK = 268.8 VPK
⇒ V数字版权管理 >268.8 V
实施例二：对于ISDN应用，将直流电源的最大电压加到传输信号的最大电压上（对于美国应用，U接口没有直流电压，但欧洲和日本ISDN应用可能有）：
150伏PK + 3伏PK = 153 VPK
⇒ V数字版权管理 >153 V
V星 S 的 SIDACtor®装置的额定电压应等于或小于其所保护的元件的瞬时峰值电压额定值。
实施例1：V S = V Relay Breakdown
实施例二：V S = SLIC VPK
对于不需要附加串联电阻的电路，浪涌电流额定值（I PP ）的 SIDACtor ®设备的电流应大于或等于与适用法规要求（I）的雷电抗扰度测试相关的浪涌电流 PK）：
我PP = IPK
对于使用附加串联电阻的电路，浪涌电流额定值（I PP ）的 SIDACtor ®设备的电流应大于或等于与适用法规要求（I）的雷电抗扰度测试相关的可用浪涌电流 PK（可用））：
我PP = IPK（可用）
最大可用浪涌电流的计算方法为峰值浪涌电压（VPK）除以总电路电阻（RTOTAL）：
我PK（可用） = VPK/R共计
对于纵向浪涌（尖端-接地、环-接地），R 共计计算头端和环：
R来源 = VPK/一PK
R共计 = R头端 + R来源
R共计 = R环 + R来源
用于金属浪涌（尖端-环）：
R来源 = VPK/一PK
R共计 = R头端 + R环 + R来源
实施例1：调制解调器制造商必须在没有任何串联电阻的情况下通过TIA-968-A的A类浪涌要求。
我PK = 100 A，10x560 μ s
PPI = 100 A，10x560 µ s
因此，无论是“B”级或“C”级 SIDACtor·设备将被选择。
实施例二：线路卡制造商必须通过GR 1089的浪涌要求，头端和环端分别为30 Ω和30 Ω。
我PK = 100 A，10x1000 µ s
VPK = 1000 V
R来源 = VPK/一PK = 10 O
R共计 = R来源 + R头端 = 40 O
我PK（可用） = VPK/R共计 = 1000 V/40 O
max iPP = 25 A
由于TIA-968-A 4.4.1.7.3规定，在短路条件下，已注册的终端设备每根导线的保持电流不得超过140 mA dc，因此 SIDACtor®器件设置为150 mA。
对于特定的设计标准，保持电流（I H ）的 SIDACtor·装置的电流必须大于在操作和短路条件期间可以供应的DC电流。
关断状态电容（CO）
假设插入损耗的临界点为原始信号值的70%，SIDACtor®器件可用于传输速度高达30 MHz的大多数应用。对于变速箱速度大于
30 MHz，强烈推荐新MC系列。
