IXYS: “一项Littelfuse技术”代表一组 全面的高级电源半导体技术， 包括硅和宽带隙解决方案 ，采用离散和模块封装。
功率半导体是用于在能量产生点和能量消耗点之间的各个阶段将能量从一种形式转换为另一种形式的组件。功率半导体部件可以采用分立晶体管、晶闸管或二极管的形式;或者如果需要更高级别的电流或集成度，则该部件可以采用多芯片模块的形式，该多芯片模块在期望的配置或拓扑中包含多于一个的这些器件。
在Littelfuse，我们了解各种各样的能量转换要求需要各种各样的功率半导体。我们全面的产品组合包括晶闸管、整流器和快速恢复二极管、IGBT以及宽带隙器件-所有这些器件均采用各种分立式和多芯片模块格式，旨在帮助您灵活、高效地管理电源系统。
追溯了碳化硅在过去几十年中的发展，并概述了其未来的商业前景。
在过去的两年中，商业上可用的1200V SiC MOSFET在质量方面已经取得了长足的进步： 沟道迁移率已经上升到合适的水平，氧化物寿命已经达到大多数主流工业设计可接受的水平，并且阈值电压已经变得越来越稳定。长期可靠性、参数稳定性和器件耐用性也在稳步提高。本白色概述了用于验证Littelfuse和Monolith Semiconductor即将推出的新系列SiC MOSFET的质量和性能的工具和技术。
白色主题包括：
碳化硅的早期
MOSFET替代品
SiC MOSFET的发展
当今的MOSFET质量
SiC MOSFET商业化前景展望
